Modulhandbuch MaET2012_Rastermikroskopie
Verantwortlich: Prof. Dr. Stefan Altmeyer
Modul
Anerkennbare Lehrveranstaltung (LV)
Organisation
Bezeichnung |
Lang |
MaET2012_Rastermikroskopie |
MID |
MaET2012_RM |
MPID |
|
|
|
Zuordnung |
Studiengang |
MaET2012 |
Studienrichtung |
O |
Wissensgebiete |
O_SPEZ |
|
|
Einordnung ins Curriculum |
Fachsemester |
1-2 |
Pflicht |
|
Wahl |
O |
|
|
Version |
erstellt |
2012-01-05 |
VID |
1 |
gültig ab |
WS 2012/13 |
gültig bis |
|
|
Zeugnistext
de
Rastermikroskopie
en
Scanning Microscopy
Unterrichtssprache
Deutsch
Modulprüfung
Form der Modulprüfung |
sMP |
100% (mündliche Prüfung) |
Beiträge ECTS-CP aus Wissensgebieten |
O_SPEZ |
5 |
Summe |
5 |
Aufwand [h]: 150
Prüfungselemente
Vorlesung / Übung
Form Kompetenznachweis |
bK |
individuelle Lernstandsrückmeldung (Gesamtumfang bis max. 2h) |
bÜA |
Präsenzübung und Selbstlernaufgaben |
Beitrag zum Modulergebnis |
bÜA |
unbenotet |
Spezifische Lernziele
Kenntnisse
- (PFK.5, PFK.6, PFK.7, PFK.8, PFK.9)
- Aufbau, Funktionsweise und Wirkprinzipien eines Elektronenmikroskops
- relativistische und quantenmechanische Grundlagen
- Elektronenemission
- Strahlformung
- Elektron-Materie Wechselwirkung
- Elektronendetektoren
- Bildentstehung und -charakteristika
- Aufbau, Funktionsweise und Wirkprinzipien eines Tunnelmikroskops
- quantenmechanische Grundlagen
- Tunneleffekt
- Piezoeffekt
- Regelschleife
- Auflösung, Bildentstehung und -charakteristika
- Aufbau, Funktionsweise und Wirkprinzipien eines Konfokalmikroskops
- Prinzip der Konfokalität
- Bedeutung und Funktionen der beiden Blenden
- Einblendensysteme, Nipkow-Systeme
- Farblängsfehler basierende Sensoren
Fertigkeiten
- (PFK.5, PFK.6, PFK.7, PFK.8, PFK.9)
- Berechnung und Dimensionierung von Komponenten in Rastermikroskopen
- Berechnung von erzielbaren Auflösungen
Exemplarische inhaltliche Operationalisierung
: a) Die Studierenden sollen die mindestens erforderliche Beschleunigungsspannung eines Elektronenmikroskopes berechnen, um bei einer gegebenen Objektiv eine gewisse Mindestauflösung zu erreichen.
b) Die Studierenden sollen den relativen Fehler berechnen, wenn die Elektronengeschwindigkeit bei einer vorgegebenen Beschleunigungsspannung klassisch anstatt relativistisch berechnet wird.
c) Die Studierenden sollen berechnen, um wieviel die Emissionstemperatur einer Kathode verringert werden kann, wenn durch einen Materialwechsel die Austrittsarbeit in definierter Weise verringert wird.
d) Die Studierenden sollen berechen, um welchen Faktor sich der Tunnelstrom verändert, wenn der Abstand Probe zu Spitze sich um eine zehntel Atomlage verändert.
Praktikum
Form Kompetenznachweis |
bK |
individuelle Lernstandsrückmeldung (Gesamtumfang bis max. 2h) |
bÜA |
Präsenzübung und Selbstlernaufgaben |
Beitrag zum Modulergebnis |
bK |
Voraussetzung für Zulassung zur Prüfung… |
bÜA |
unbenotet |
Spezifische Lernziele
Fertigkeiten
- Praktischer Umgang mit Rastermikroskopen (PFK.6, PFK.7, PFK.9, PFK.10, PFK.11, PSK.1)
Exemplarische inhaltliche Operationalisierung
a) Vermessung einer speigelnden V-Nut mit einem Konfokalmikroskop. Analyse der Bildes, Identifikation der Artefakte. Auffinden des Konfokalpeaks und des Schein-Konfokalpeaks. Verrechnung der Peaklagen mit der bekannten Probengeometrie.
b) Bestimmung der erreichbaren Grenzwinkel in einem Konfokalmikroskop in Abhängigkeit von den verwendeten Objektiven
c) Bestimmung des Traganteils einer gehonten Zylinderwand mit Hilfe eines Konfokalmikroskops
Projekt
Form Kompetenznachweis |
bK |
individuelle Lernstandsrückmeldung (Gesamtumfang bis max. 2h) |
Beitrag zum Modulergebnis |
bK |
Voraussetzung für Zulassung zur Prüfung |
Spezifische Lernziele
Handlungskompetenz demonstrieren
- (PFK. 6, PFK.7, PFK.10, PFK.11, PSK.1, PSK.2)
- zu einer vorgegebenen Klasse von Proben eigenständig eine umfassende rastermikroskopische Analyse durchführen
- Methodenvergleich
Exemplarische inhaltliche Operationalisierung
a) Quantitative Bestimmung der Geometriedaten einer dreidimensionalen, leitfähigen Struktur. Bestimmung mit Konfokalmikroskop, mit kalibriertem Tunnelmikroskop, mit Rasterelektronenmikroskop. Vergleich der erreichbaren Auflösung, der direkt und der indirekt zugänglichen Geometrien.
b) best-practice Untersuchung an einer vorgegebenen Klasse von Proben
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